社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
...
【募集背景/募集理由】当社は今後の情報化社会の根幹を支えるCPO/シリコンフォトニクス技術の核として期待される量子ドットレーザ、多種多様な工業製品の精緻な加工や検査に欠かせない短パルスDFBレーザ、フローサイトメータや蛍光顕微鏡用光源などに使用される小型可視レーザなど、当社独自の技術を進化させた、社会貢献度の高い様々な半導体レーザ製品を開発・販売しています。これらの新しい半導体レーザ製品は、当社独自のコア技術群と、業界唯一のセミファブレス体制を基盤として生み出されています。近年、顧客数および製品ラインアップは着実に拡大しており、今後さらに多様化する顧客ニーズに応え、新たな半導体レーザ製品を継続的に生み出していくためには、セミファブレス体制を支える半導体レーザの生産・開発体制のさらなる強化が不可欠となっています。当事業拡大、及び体制強化のため上記の背景から、今後の事業拡大とさらなる成長を実現するため、半導体レーザの開発から生産技術、量産化まで幅広く携わり、当社の技術・製品開発を牽引していただけるエンジニアを募集します。【業務内容】・シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザ、加工用1020-1180nm DFBレーザおよびバイオメディカル用532-594nm小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。[1] シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザシリコンフォトニクス用光源としてFP・DFBレーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務[2] 加工用1020-1180nm DFBレーザナノ秒パルス駆動時の高出力化やピコ秒パルスレーザの更なる短パルス化を実現するチップの開発・設計業務[3] バイオメディカル用532-594nm小型可視レーザ波長ラインナップの拡充や高出力化・高信頼性チップの開発・設計業務・半導体レーザチップ設計、ウェハプロセス設計および評価・チップファンドリへの指示 ・顧客からの問合せに対する技術対応
求められる経験
【必須(いずれかの経験・知識をお持ちの方)】
・半導体レーザ、もしくはレーザ製品の設計、評価、生産技術等の実務経験
【歓迎(活かせるスキル)】
・半導体レーザのウエハプロセス設計の基本的な知識
・国内外の顧客やベンダーとの業務経験(英文メール対応、英会話スキル)
・試作段階(R&D)から量産化への移行・立ち上げプロセス(技術移管)の経験
・シリコンフォトニクス技術、または光電融合(CPO)技術に関する知見・関心
・光測定器を用いた高周波・高速光通信デバイスの測定・評価経験
・半導体レーザの寿命試験(信頼性評価・加速試験)の設計、不良解析(FA)の経験
・データ解析スキル(Python、C#等を用いた測定の自動化やデータ処理ができる方)
・III-V族化合物半導体を用いたレーザ開発経験
・InP系、GaAs系、GaN系等の半導体レーザ開発経験
・MOCVD、MBE等によるエピタキシャル成長に関する知識・経験
・リッジ導波路形成等の微細加工プロセス経験
・DFBグレーティング等の光デバイス加工経験
・高出力レーザーダイオードの開発経験
・通信用レーザ、センシング用レーザ、LiDAR用レーザ等の開発経験
・波長可変レーザ、単一モードレーザー等の開発経験
・半導体レーザの信頼性試験・寿命評価経験
・レーザーチップのパッケージ・実装技術に関する知識
・量産プロセス立ち上げ、歩留まり改善の経験
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収700 ~ 950万円
賞与
-
雇用期間
期間の定めなし
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社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
【募集背景/募集理由】当社は今後の情報化社会の根幹を支えるCPO/シリコンフォトニクス技術の核として期待される量子ドットレーザ、多種多様な工業製品の精緻な加工や検査に欠かせない短パルスDFBレーザ、フローサイトメータや蛍光顕微鏡用光源などに使用される小型可視レーザなど、当社独自の技術を進化させた、社会貢献度の高い様々な半導体レーザ製品を開発・販売しています。これらの新しい半導体レーザ製品は、当社独自のコア技術群と、業界唯一のセミファブレス体制を基盤として生み出されています。近年、顧客数および製品ラインアップは着実に拡大しており、今後さらに多様化する顧客ニーズに応え、新たな半導体レーザ製品を継続的に生み出していくためには、セミファブレス体制を支える半導体レーザの生産・開発体制のさらなる強化が不可欠となっています。当事業拡大、及び体制強化のため上記の背景から、今後の事業拡大とさらなる成長を実現するため、半導体レーザの開発から生産技術、量産化まで幅広く携わり、当社の技術・製品開発を牽引していただけるエンジニアを募集します。【業務内容】・シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザ、加工用1020-1180nm DFBレーザおよびバイオメディカル用532-594nm小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。[1] シリコンフォトニクス用1300nm帯量子ドットレーザシリコンフォトニクス用光源としてFP・DFBレーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務[2] 加工用1020-1180nm DFBレーザナノ秒パルス駆動時の高出力化やピコ秒パルスレーザの更なる短パルス化を実現するチップの開発・設計業務[3] バイオメディカル用532-594nm小型可視レーザ波長ラインナップの拡充や高出力化・高信頼性チップの開発・設計業務・半導体レーザチップ設計、ウェハプロセス設計および評価・チップファンドリへの指示 ・顧客からの問合せに対する技術対応
求められる経験
【必須(いずれかの経験・知識をお持ちの方)】
・半導体レーザ、もしくはレーザ製品の設計、評価、生産技術等の実務経験
【歓迎(活かせるスキル)】
・半導体レーザのウエハプロセス設計の基本的な知識
・国内外の顧客やベンダーとの業務経験(英文メール対応、英会話スキル)
・試作段階(R&D)から量産化への移行・立ち上げプロセス(技術移管)の経験
・シリコンフォトニクス技術、または光電融合(CPO)技術に関する知見・関心
・光測定器を用いた高周波・高速光通信デバイスの測定・評価経験
...
・半導体レーザの寿命試験(信頼性評価・加速試験)の設計、不良解析(FA)の経験
・データ解析スキル(Python、C#等を用いた測定の自動化やデータ処理ができる方)
・III-V族化合物半導体を用いたレーザ開発経験
・InP系、GaAs系、GaN系等の半導体レーザ開発経験
・MOCVD、MBE等によるエピタキシャル成長に関する知識・経験
・リッジ導波路形成等の微細加工プロセス経験
・DFBグレーティング等の光デバイス加工経験
・高出力レーザーダイオードの開発経験
・通信用レーザ、センシング用レーザ、LiDAR用レーザ等の開発経験
・波長可変レーザ、単一モードレーザー等の開発経験
・半導体レーザの信頼性試験・寿命評価経験
・レーザーチップのパッケージ・実装技術に関する知識
・量産プロセス立ち上げ、歩留まり改善の経験
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収700 ~ 950万円
賞与
-
雇用期間
期間の定めなし
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